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化合物半导体单晶生产用炭素石墨制品

编辑: 发布时间:2022-03-09 10:55:57

化合物半导体单晶生产用炭素石墨制品化合物半导体单晶生产用炭素石墨制品


化合物半导体单晶制造基本上以CZ法为主由于As、P等元素的蒸气压较高,与Si不同而采用加压拉伸(LEC法),由不同元素组合而成的化合物半导体较多,仅以使用炭素石墨制品较多的GaAs单晶的制造工艺为例做一说明。将a和As装入PBN坩埚,为了防止As蒸发和周围炭素石墨制品成分的混入,在PBN坩埚内加入B2O3并将其置于石墨坩内使其随轴旋转,通入N2或Ar气加压至数个到数十个大气压,用石墨制成的加热器加热至1400℃,使aAs溶解反应。

同时与坩埚旋转相反的方向从炉顶旋转垂下细棒状的籽晶(单晶),使其触及GaAs液面。然后,使液面温度保持在1240℃的同时向上缓慢提拉籽晶,促进单晶GaAs生长,这个过程与拉伸单晶硅基本相同。但是相对单晶硅而GaAs单晶言,要生产无结晶缺陷的单晶GaAs较难,批量化生产以2~3in的单晶棒为主。生产化合物半导体热屏蔽用的CZ炉结构如图2-10所示。炉内的大部分部炭素加热器件也使用炭素石墨制品。

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