服务热线:0769-89392518 手机:13549365158

石墨烯取向附生法—晶膜生长

编辑: 发布时间:2021-07-22 14:48:07

取向附生法—晶膜生长

石墨

1、取向附生法是利用生长基质原子结构“种”出石墨烯,首先让碳原子在 1 1 5 0 ℃下渗入钌,

2、然后冷却,冷却到850℃后,之前吸取的大量碳原子就会浮到钌表面,镜片形状的单层的碳原子“ 孤岛” 布满了整个基质表面,

3、最终它们可长成完整的一层石 墨烯。第一层覆盖 8 0 %后,第二层开始生长。

4、底层的石墨烯会与钌产生强烈的交互作用,而第二层后就几乎与钌完全分离,只剩下弱电耦合,得到的单层石墨烯薄片表现令人满意。

5、但采用这种方法生产的石墨烯薄片往往厚度不均匀,且石墨烯和基质之间的黏合会影 响碳层的特性。

6、另外Peter W.Sutter 等使用的基质是稀有金属钌。

石墨烯的合成方法主要有两种:机械方法和化学方法。

机械方法包括微机械分离法、取向附生法和加热SiC的方法 ; 化学方法是化学还原法与化学解理法。

XML 地图 | Sitemap 地图